multi-level DRAM

這是在不久前的演講所聽到的. 現在的 DRAM 記憶體都是以 1bit 方式儲存, 一個 cell 存 0 or 1 的方式, 普通一點教科書可以看到的記憶體 cell 是由 6 or 4 個 transistors 構成, 基本原理就是裡面有個電容(capacitance)來存電荷以表示 0/1. 比如說 0V 表示 digital 0, 3V 表示 digital 1. 但是這個演講的主要作法是, 如果能把 voltage 分成 0V, 1V, 2V, 3V, 這樣就可以用 1 cell 儲存 00, 01, 10, 11 四種不同的數值, 這樣就可以使得 1 cell 儲存 2 bits. 當然會有其他的 overhead 以及 redudency 作修補時候的問題. 而根據他的實驗, 大概一個 cell 儲存 4-5 bits 時候是最好的.

看起來很棒, 一個 memory 可能增加好幾倍以上的容量, 而且速度又快, 因為一次儲存好幾個 bits 到 single cell. 但為什麼使用者享受不到, 是由於來自於記憶體半導體業的因素. 廠商都用現在的記憶體結構跟製程很久了, 技術都很成熟, 但是誰也不想花錢嘗試, 尤其越先進的製程投資的金額越高. 但是只要有一家成功了, 那麼就會一窩蜂的跟著進入. 所以, 感覺聽起來很悲哀 :(